سیروس همتی

ترانزیستورها جزء مهمترین ابزارهای الکترونیکی هستند. امروزه صدها نوع مدار با استفاده از ترانزیستورها طراحی و ساخته می شود که به دلیل استفاده زیاد از وسایل الکترونیکی با قابلیت سرعت بالا و کار در توان های بالا، ساخت ترانزیستورهایی با این قابلیت ها مورد توجه قرار گرفته است. ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-نیمه هادی (MESFET) که اولین بار توسط Mead در سال 1996 ارائه شد، به علت غیاب اکسید گیت در برابر مشکلات مربوط به اکسید گیت همچون تشعشعات پلاسما و اثرات حامل گرم ایمن می باشد. بهبود برخی از ویژگی-های SOI MESFET از جمله دمای کاری بالا، کاهش خازن های پیوندی و در نتیجه سرعت بالاتر، نبود پدیده قفل شدگی، کاهش جریان نشتی و مصرف توان کمتر دلایل قانع کننده ای جهت استفاده ی گسترده آن در کاربردهای فضایی، نظامی و مخابراتی است. این ترانزیستورها در کنار مزایای قابل توجه خود دارای معایبی همچون اثر بدنه شناور، ولتاژ شکست پایین و جریان درین پایین است که باعث ایجاد مشکلاتی در این ساختار شده است. ما میخواهیم تا حد امکان با تغییراتی ساده که موجب تحمیل هزینه و پیچدگی زیاد نسبت به ساختار پایه نشود به ساختاری برسیم که موجب بهبود پارامترهای مهم شود. در این پایان نامه میخواهیم با استفاده از نرم افزار سیلواکو ساختاری را طراحی و بررسی کنیم که پارامترهای ولتاژ شکست، جریان درین و پارامترهای Rf ساختار را بهبود بخشد تا بتواند برخی محدودیت ها و معایب ساختار پایه را تا حدی جبران نماید.