در این مطالعه، خواص الکتریکی و اپتیکی گرافن با زیر لایه BC3 بررسی می شوند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل، بر پایه نظریه تابعی چگالی انجام شده است. محاسبه انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. محاسبه ساختار نواری نشان می دهد که گرافن با زیرلایه BC3 دارای گاف نواری کوچک به اندازه eV 0.15 در نقطه K است.گاف نواری ایجاد شده با تغییر فاصله بین لایه ای گرافن و BC3 قابل تغییر است. تابع دی الکتریک گرافن با زیر لایه BC3 را می توان به صورت برهم نهی از تابع دی الکتریک گرافن ایزوله و نانو صفحه BC3 تک لایه در نظر گرفت که برهمکنش بین لایه ها باعث جابجایی مکان پیکها می شود. وجودگاف انرژی قابل کنترل در گرافن با زیر لایه BC3، آن را به یک کاندیدای مناسب برای استفاده در ترانزیستورهای اثر میدانی تبدیل می کند.
