نانولوله های ژرمانن، به عنوان ساختارهای یک بعدی با خواص الکترونیکی و حرارتی منحصربه فرد، توجه محققان را در حوزه های مختلفی از جمله الکترونیک، نانو الکترونیک و تبدیل انرژی به خود جلب کرده اند. یکی از جنبه های مهم در مطالعه نانولوله های ژرمانن، بررسی رفتار آن ها تحت تأثیر میدان های خارجی است. میدان های الکتریکی و مغناطیسی می توانند به طور قابل توجهی بر خواص الکترونیکی این نانولوله ها تأثیر بگذارند. این تأثیرات از طریق مکانیسم های مختلفی از جمله تغییر در ساختار نواری و ایجاد حالت های جدید رخ می دهند. به عنوان مثال، میدان های خارجی می توانند باعث تغییر در ساختار نواری نانولوله های ژرمانن شده و در نتیجه گاف انرژی ممنوعه آن ها را تغییر دهند. این تغییر در گاف انرژی، به طور مستقیم بر هدایت الکتریکی و خواص نوری این نانولوله ها تأثیر می گذارد. تغییرات ایجاد شده در ساختار نواری بر خواص ترموالکتریکی نانولوله های ژرمانن مانند ضریب سیبک و هدایت حرارتی تاثیر گذاشته منجر به بهبود کارایی دستگاه های ترموالکتریکی مبتنی بر این نانولوله ها می شوند. درک عمیق از تأثیر میدان های خارجی بر خواص نانولوله های ژرمانن، می تواند به توسعه کاربردهای جدیدی در حوزه های مختلف مانند نانو الکترونیک و تبدیل انرژی منجر شود.
