از تکنولوژی سیلیسیم بر روی عایق به دلیل مزایای عمده آن مانند جریان نشتی کم، ایزولاسیون ایده آل، کاهش خازن ها و در نتیجه سرعت بالا و همچنین توانایی کار کردن در دماهای محیطی بالا جهت ساخت قطعات قدرت استفاده می شود. با این وجود قطعاتی که در تکنولوژی SOI ساخته می شوند از دو عیب عمده یعنی پایین بودن ولتاژ شکست و همچنین پدیده خود گرمایی رنج می برند تاکنون روش های متعددی برای رفع این دو مشکل پیشنهاد شده است. ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی فلز – نیمه هادی بر روی تکنولوژی SOI یکی از بهترین انتخاب ها برای عملکردهای مناسب RF است. این ساختار به دلیل مزایای زیادی که دارد از جمله مورد استفاده بودن در مدارات ULSI/VLSI در دهه اخیر مورد توجه تعداد بسیاری از محققین قرار گرفته است. ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی فلز – نیمه هادی بر روی تکنولوژی سیلیسیم بر روی عایق در مقایسه با ساختارهای معمولی MESFET دارای نویز کمتر، سرعت بالاتر و مشخصه های فرکانسی بهتری است. در این پایان نامه ساختارهای پیشنهاد خواهد شد تا اثرات مضری که در ساختار پایه ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی سیلیسیم بر روی عایق وجود دارند را اصلاح نموده و باعث بهبود در ولتاژ شکست، مشخصه های فرکانسی و میدان الکتریکی نسبت به ساختار مرسوم گردد. یکی از مهمترین پارامترها برای ارزیابی قابلیت اطمینان ترانزیستورها، دمای الکترون می باشد. زمانی که ولتاژ بالایی به درین ترانزیستور اعمال می شود، ماکزیمم میدان الکتریکی، دمای الکترون در کانال را افزایش می-دهد. پس توزیع میدان الکتریکی در طول ساختار تغییر می کند و ولتاژ شکست و در نتیجه توان بهبود می یابد. این قضیه می-تواند بعنوان یک استراتژی در رسیدن به هدف مورد استفاده قرار گیرد.
