ممریستور یا مموری رزیستور یک عضو الکتریکی دارای 2 ترمینال است که در آن یک ارتباط کاربردی بین بار الکتریکی و شار مغناطیسی برقرار است. وقتی جریان از یک جهت وارد ممریستورمیشود مقاومت الکتریکی افزایش می یابد و وقتی جریان از جهت مخالف آن وارد شود مقاومت کاهش می یابد. اما زمانیکه جریان متوقف شد این عنصر آخرین مقاومتی را که داشته است حفظ می کند. به همین دلیل این عنصر را "حافظه مقاومت" یا ممریستور نامیده اند. از ساختار متقاطع ممریستوری برای پیاده سازی شبکه های عصبی مصنوعی، شبیه سازی سیستم های نروفازی و همچنین پیاده سازی روش یادگیری فعال استفاده شده است. این ساختارها قابلیت ذخیره اطلاعات بصورت آنالوگ را دارند و درنتیجه ظرفیت آن ها از نظر تئوری بینهایت برابر بیشتر از حافظه های دیجیتال خواهد بود. بطور کلی استفاده از ساختارهای متقاطع ممریستوری داری دو فاز می باشد. فاز اول نوشتن اطلاعات بر روی ساختار یا همان فاز یادگیری است و فاز دوم خواندن اطلاعات نوشته شده بر روی این ساختارها یا همان فاز استفاده است. در فاز خواندن در ساختارهای متقاطع ممریستوری باید مقدار ممریستنس ممریستورها طوری خوانده شود که مقدار آن ها تغییری نکند. بنابرین مداری در خروجی سطرهای ساختار متقاطع ممریستوری مورد نیاز است تا مقدار ممریستنس خوانده شده را به ولتاژ یا جریان تبدیل کند. ما در این مقاله مداری را برای خواندن ممریستنس ممریستورها ارائه میدهیم و روابط مربوطه را استخراج مینماییم.
