هدف از این مطالعه بررسی خواص ترموالکتریک سیلیسن تتراگونال است که مشابه گرافن تتراگونال است. این ساختار، با آرایش چهار ضلعی غیر مسطح، حاوی فرمیون های دیراک بدون جرم و سرعت فرمی بالایی است که با گرافن قابل مقایسه است. گرافن تتراگونال می تواند نانولوله ها و نانوروبان هایی را تشکیل دهد که با استفاده از روش های تابعی چگالی و بستگی قوی مورد مطالعه قرار گرفته اند. علاوه بر گرافن تتراگونال، کار نظری گسترده ای بر روی آلوتروپ های دو بعدی جدید با پیکربندی های مشابه و متشکل از اتم های مختلف مانند BN ، SiC ، AlN و CuN متمرکز شده است. در این پژوهش خواص ترموالکتریکی سیلیسن تتراگونال را مورد بررسی قرار می دهیم. برای این منظور، تأثیر عوامل خارجی، از جمله ولتاژ بایاس (U)، میدان مغناطیسی خارجی (B)، و تزریق ناخالصی الکترون (μ)، بر خواص الکترونیکی و حرارتی سیلیسن تتراگونال بررسی شده است. در این راستا بعد از بررسی خواص الکتریکی ساختار سیلیسن تتراگونال در حضور میدانهای خارجی، تغییرات هدایت الکتریکی و خواص ترموالکتریک بررسی شده است.
