برای اولین بار، در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونلزنی جدید پیشنهاد شده است که در این ساختار جدید به جای استفاده از یک دوپینگ سنگین در ناحیه درین ساختار متداول، از یک دوپینگ خطی استفاده شده است. این دوپینگ از وسط ناحیه درین به صورت خطی به سمت ناحیه کانال گسترش یافته است. میزان ناخالصی در محل اتصال کانال - درین صفر است. این ساختار ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونلزنی با نامیده میشود. رفتار الکتریکی افزاره پیشنهادی ) LD T CNTFET ( دوپینگ خطی مورد )NEGF( با شبیهسازی عددی کوانتومی و با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی بررسی قرار گرفته است. نتایج شبیهسازی نشان میدهد که رفتار حالت روشن، حالت خاموش، نوسان زیر آستانه و کلیدزنی ساختار پیشنهادی در مقایسه با ساختار متداول بهبود مییابد. در مقایسه با ساختار متداول دارای فرکانس LD T CNTFET همچنین ساختار قطع بالاتری است و در نتیجه کاندیدای مناسبی برای کاربردهای با توان مصرفی کم و فرکانس بالا میباشد.
