در این مقاله اثر تغییرضخامت اکسید گیت بر رفتار فرکانس بالای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونلیبررسی شده است. برای مطالعه و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونلی از حل خودسازگار معادله های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد با افزایش ضخامت اکسید گیت جریان حالت روشن افزاره کاهش می یابد. علاوه بر این فرکانس قطع ذاتی نیز با افزایش ضخامت اکسید گیت کاهش خواهد یافت. همچنین جریان نشتی افزاره کاهش قابل توجهی را نسبت به زیاد شدن ضخامت اکسید گیت از خود نشان می دهد. گسترده تر شدن سد پتانسیل باعث کاهش احتمال تونل زنی نوار به نوار و کاهش جریان نشتی در افزاره شده است
