در این تحقیق با بررسی اثر تغییرات دما بر رفتار فرکانس بالای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی مشخصه های ترارسانایی، خازن گیت و فرکانس قطع ذاتی آن را استخراج نموده و اثر دما بر عملکرد افزاره بررسی شده است. برای مطالعه و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی از حل عددی خودسازگار معادله های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد افزایش دما باعث زیاد شدن ولتاژ آستانه افزاره و کاهش جریان حالت روشن می گردد همچنین مولفه جریان نشتی نیز با زیاد شدن دما افزایش می یابد. بررسی های انجام شده در طول گیت 20 نانومتر و در بازه دمایی 270 تا 400 درجه کلوین نشان می دهد در ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنیp-i-n افزایش دما منجر به کاهش فرکانس قطع افزاره می گردد علاوه بر این ترارسانایی و خازن گیت که از پارامترهای مهم تاثیر گذار بر فرکانس قطع ذاتی هستند روند کاهشی دارند.
