علی نادری

چکیده : با در این تحقیق به معرفی و شبیهسازی استفاده از نانوساختارهای فلزی جهت اعمال ولتاژ درین و سورس بصورت بدون واسطه به کانال ترانزیستورهای اثر میدان در مقیاس نانو پرداخته شده است. مشکلی که در نانوساختارهای کنونی وجود دارد اتصال فلز به نیمه هادی درین و سورس است که عمدتاً باعث بروز سد شاتکی ناخواسته شده و به تبع آن تلف مقداری توان جهت غلبه بر این دیود شاتکی در مرز فلز و نیمه هادی میشود. در ساختارهایی همانند ترانزیستورهای نانونوارگرافنی، بایستی از کانالی از جنس نانونوارهای نیمه هادی استفاده کرد و مقاومت نواحی درین و سورس آن را با وارد نمودن دوپینگ کاهش داد. در این تحقیق پیشنهاد میشود که بجای استفاده از یک تک نانونوار نیمههادی، از یک نانونوار نیمههادی بصورت مورب در ناحیه کانال استفاده شده و دو نانونوار فلزی در دو انتهای آن اتصالات درین و سورس را تشکیل دهند. بدین ترتیب اثر شاتکی در محل اتصال ولتاژ از بین خواهد رفت. برای بررسی و شبیهسازی این ترکیب ترانزیستوری از نرم افزار که یک شبیهساز قدرتمند در حوزه افزارههای کوانتومی است ATK (Atomistic Tools Kit) قدرتمند استفاده شده است. نتایج شبیهسازیها حاکی از آن است که ترکیب پیشنهاد شده مشخصههای یک ترانزیستور اثر میدان را دارا است. علیرغم کاهش در جریان حالت اشباع و افزایش در جریان نشتی نسبت به نانوترانزیستورهای کنونی، این ساختار را بدلیل حذف سد شاتکی در محل اتصالات، میتوان به عنوان ساختاری امید بخش در توسعه نانوترانزیستورها مورد مطالعه و توجه بیشتری قرار داد