ساختار ارائه شده در این مقاله دارای ولتاژ شکست بالاتری نسبت به ساختار پایه می باشد. در این ساختار ما دوناحیه ی عایق از جنس SiO2را در ناحیه کانال و در قسمت انتهایی آن قرار داده ایم بطوری که بصورت دو دندانه در کنار هم و در تقارن یکدیگر قرار گرفته اند. برای شبیهسازی از نرم افزار سیلواکو استفاده کردهایم که روش نیوتن را برای انجام محاسبات و حل عددی معادلات بکار گرفته است. از آنجایی که تحمل شکست عایق چندین برابر نیمه هادی می باشد لذا این دوناحیه سبب می شوند که ولتاژ شکست در مقادیر بزرگتری به وقوع بپیوندد و تحمل ترانزیستور افزایش یابد. همچنین وجود این دو ناحیه باعث کاهش خازن های مسیر گیت درین می گردد که باعث بهبود یافتن پارامترهای RFمی گردد. پلهی اولی از سمت راست باعث بهبود ولتاژ شکست و پله ی دومی باعث بهبود پارامترهای RFمی گردد. بنابراین ساختار مذکور از کارایی الکتریکی بالاتری نسبت به ساختار پایه برخوردار است
