در این مقاله به بررسی اثر تغییر ثابت دیالکتریک گیت بر رفتار ترانزیستور اثر میدانی تونلزنی مبتنی بر نانولوله کربنی پرداخته شده است. برای مطالعه و شبیهسازی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونلزنی از حل عددی خودسازگار معادلههای پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. نتایج شبیهسازی نشان میدهد با افزایش اثر ثابت دیالکتریک گیت جریان حالت خاموش کاهش قابل توجهی دارد و در نتیجه موجب افزایش نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش میگردد. علاوه بر این نوسان زیرآستانه که از مولفههای مهم ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی تونلزنی است با افزایش ثابت دیالکتریک کمتر میشود. بررسیهای انجام شده در طول گیت 20نانومتر نشان میدهد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونلزنی با kبالاتر باعث اصلاح الگوی توزیع پتانسیل و میدان در سمت درین میگردد و این امر شیب پتانسیل را کاهش میدهد در نتیجه باعث پهنتر شدن سد، در ناحیه کانال- درین میشود. علاوه بر این گستردگی سد باعث کاهش احتمال تونلزنی نوار به نوار، کاهش جریان نشتی و بهبود رفتار آمبایپلار در افزاره شده است
