در سال 1966 میلادی دانشمند آمریکایی به نام کارور آندرس مید اولین ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی به اصطلاح MESFET را طراحی نمود. ترانزیستور MESFET از لحاظ ساختاری شبیه به ترانزیستور JFET است با این تفاوت که به جای اتصال P-N برای گیت از اتصال شاتکی ( فلز-نیمه هادی) استفاده شده است. این ترانزیستور همانند سایر ترانزیستورهای اثر میدان دارای سه پایه به نام های گیت، درین و سورس می باشد. بین درین و سورس ناحیه کانال قرار دارد. با اعمال ولتاژ به پایه گیت عرض ناحیه تخلیه زیرگیت درکانال تغییر می کند و با کنترل ولتاژ اعمالی به پایه گیت جریان حامل های که از مسیر کانال عبور می کنند را می توان کنترل نمود. یعنی کنترل جریانی که از درین به سورس برقرار می شود توسط ولتاژ اعمالی به پایه گیت میسر است. امروزه در تولید قطعات الکترونیکی خصوصیاتی نظیر سرعت سوئیچینگ بالا، کار در شرایط فرکانس، دما و ولتاژ بالا مد نظر می باشد. از این رو یکی از قطعاتی که توجه سازندگان وسایل الکترونیکی را به خود جلب کرده است ترانزیستورهای SOI MESFET می باشد. این ترانزیستور همان ترانزیستور MESFET می باشد که در تکنولوژی SOI تولید شده است. این ترانزیستور دارای مزایایی از جمله کارکرد در فرکانس های بالا، جریان نشتی پایین، نویزپذیری کمتر، سرعت بالا و داشتن ابعاد کوچک می باشد. ولی با وجود این مزایا، معایبی نیز از جمله ولتاژ شکست و جریان درین پایین در این نوع ساختار وجود دارد. این پژوهش با هدف بهبود مشخصه های الکتریکی این افزاره از جمله ترارسانایی، میدان الکتریکی، ولتاژ شکست، جریان درین و پارامترهای RF انجام خواهد شد که تکیه اصلی بر روی بهبود ترارسانایی و فرکانس قطع جهت کاربردهای RF است. در این پژوهش یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی در تکنولوژی SOI ارائه خواهد شد.
