|
عنوان
|
بررسی اثرات میدان الکتریکی بر پذیرفتاری مغناطیسی نانوتیوبهای آلاییده شده
|
|
نوع پژوهش
|
ارائه مقاله در کنفرانس‌های علمی
|
|
کلیدواژه‌ها
|
پذیرفتاری مغناطیسی، نانوتیوب
|
|
چکیده
|
پذیرفتاری مغناطیسی کربن نانوتیوبهاو برن نیترید نانوتیوبهای آلاییده شده در حضور میدان الکتریکی با استفاده از روش تابع گرین و در تقریب تنگ بست بررسی شده است. برن نیترید نانوتیوبها دارای گاف بزرگ بوده و در حضور میدان الکتریکی و ناخالصی کربن اندازه گاف کاهش می یابد.برای همه نانوتیوبها با افزایش دما، اندازه پذیرفتاری مغناطیسی افزایش یافته و به مقدار ماکزیمم خود می رسد. با اعمال میدان الکتریکی، شدت پذیرفتاری مغناطیسی نمونه ها افزایش می یابد. رفتار پذیرفتاری مغناطیسی به ناخالصی ارتباط مستقیم دارد و با افزایش درصد ناخالصی و شدت میدان، مقدار این پارامترها در بازه دماهای پایین افزایش می یابد.
|
|
پژوهشگران
|
رعد چگل (نفر اول)، سمیه بهزاد (نفر دوم)، جواد غلامی (نفر سوم)
|