01 اردیبهشت 1403
دانشگاه صنعتی کرمانشاه
English
سمیه بهزاد
مرتبه علمی:
دانشیار
نشانی:
—
تحصیلات:
دکترای تخصصی / فیزیک
تلفن:
—
دانشکده:
دانشکده علوم پایه و کاربردی
پست الکترونیکی:
somayeh.behzad [at] gmail.com
صفحه نخست
عناوین دروس
فعالیتهای پژوهشی
مشخصات پژوهش
عنوان
بررسی اثرات میدان الکتریکی بر پذیرفتاری مغناطیسی نانوتیوبهای آلاییده شده
نوع پژوهش
مقاله ارائه شده
کلیدواژهها
پذیرفتاری مغناطیسی، نانوتیوب
پژوهشگران
رعد چگل (نفر اول)،
سمیه بهزاد (نفر دوم)
، جواد غلامی (نفر سوم)
چکیده
پذیرفتاری مغناطیسی کربن نانوتیوبهاو برن نیترید نانوتیوبهای آلاییده شده در حضور میدان الکتریکی با استفاده از روش تابع گرین و در تقریب تنگ بست بررسی شده است. برن نیترید نانوتیوبها دارای گاف بزرگ بوده و در حضور میدان الکتریکی و ناخالصی کربن اندازه گاف کاهش می یابد.برای همه نانوتیوبها با افزایش دما، اندازه پذیرفتاری مغناطیسی افزایش یافته و به مقدار ماکزیمم خود می رسد. با اعمال میدان الکتریکی، شدت پذیرفتاری مغناطیسی نمونه ها افزایش می یابد. رفتار پذیرفتاری مغناطیسی به ناخالصی ارتباط مستقیم دارد و با افزایش درصد ناخالصی و شدت میدان، مقدار این پارامترها در بازه دماهای پایین افزایش می یابد.