18 مرداد 1399
سميه بهزاد

سمیه بهزاد

مرتبه علمی: دانشیار
نشانی:
تحصیلات: دکترای تخصصی / فیزیک
تلفن:
دانشکده: دانشکده فناوری اطلاعات

مشخصات پژوهش

عنوان
بررسی اثرات میدان الکتریکی بر پذیرفتاری مغناطیسی نانوتیوبهای آلاییده شده
نوع پژوهش مقاله ارائه شده
کلیدواژه‌ها
پذیرفتاری مغناطیسی، نانوتیوب
پژوهشگران رعد چگل (نفر اول)، سمیه بهزاد (نفر دوم)، جواد غلامی (نفر سوم)

چکیده

پذیرفتاری مغناطیسی کربن نانوتیوبهاو برن نیترید نانوتیوبهای آلاییده شده در حضور میدان الکتریکی با استفاده از روش تابع گرین و در تقریب تنگ بست بررسی شده است. برن نیترید نانوتیوبها دارای گاف بزرگ بوده و در حضور میدان الکتریکی و ناخالصی کربن اندازه گاف کاهش می یابد.برای همه نانوتیوبها با افزایش دما، اندازه پذیرفتاری مغناطیسی افزایش یافته و به مقدار ماکزیمم خود می رسد. با اعمال میدان الکتریکی، شدت پذیرفتاری مغناطیسی نمونه ها افزایش می یابد. رفتار پذیرفتاری مغناطیسی به ناخالصی ارتباط مستقیم دارد و با افزایش درصد ناخالصی و شدت میدان، مقدار این پارامترها در بازه دماهای پایین افزایش می یابد.