علی نادری

در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادی فلز سیلیکون بر روی عایق (SOI MESFET) پیشنهاد شده است. ساختار پیشنهادی شامل دو لایه اکسید اضافی در دو طرف فلز گیت و هم چنین ایجاد چاله های دوگانه از جنس کانال در داخل اکسید مدفون است که به اختصار SO-DW-SOI MESFET نامگذاری شده است. مشخصات DC و فرکانس رادیویی (RF) ساختار SO-DW-SOI MESFET از طریق شبیه سازی دو بعدی آنالیز و با مشخصات SOI MESFET مرسوم (C-SOI MESFET) مقایسه شده است. نتایج بدست آمده نشان دهنده برتری ساختار پیشنهادی بر C-SOI MESFET است که شامل ولتاژ شکست افزایش یافته، جریان عبوری بیشتر و مشخصات RF بهبود یافته می باشد. چاله دوگانه از جنس کانال، ظرفیت جریان را با افزایش ضخامت کانال مؤثر بهبود می بخشد. ناحیه اکسید به علت تحمل میدان الکتریکی بالایی که دارد موجب افزایش ولتاژ شکست می شود. همچنین عملکرد RF افزاره بعلت اصلاح خازن های گیت-سورس و گیت-درین در ساختار پیشنهادی بهبود یافته است. بنابراین ساختار پیشنهادی می تواند بعنوان یک گزینه مناسب برای استفاده در کاربردهای توان بالا و فرکانس بالا در نظر گرفته شود.