09 فروردین 1403
علي نادري

علی نادری

مرتبه علمی: دانشیار
نشانی: کرمانشاه، بزرگراه امام خمینی، دانشگاه صنعتی کرمانشاه
تحصیلات: دکترای تخصصی / مهندسی برق- الکترونیک
تلفن: 08338305008
دانشکده: دانشکده مهندسی برق

مشخصات پژوهش

عنوان
Carbon Nanotube Field Effect Transistor with Four Haloes of Impurity in the Channel and Two Different Dielectrics
نوع پژوهش مقاله ارائه شده
کلیدواژه‌ها
ثبت نشده‌است!
پژوهشگران علی نادری (نفر دوم)، مریم قدرتی (نفر دوم)

چکیده

In this paper, by channel engineering, a new structure of carbon nanotube field effect transistor with four haloes of impurity in the channel with two different dielectrics (FIH-SKH-CNTFET) is introduced. To study and simulate the proposed device characteristics the self-consistent solution of Poisson–Schrodinger equation within the non-equilibrium Green’s function (NEGF) method is used. Simulation results show that the proposed structure has lower subthreshold swing, lower Drain Induced Barrier Lowering (DIBL), better leakage current and higher current ratio in comparison with single kappa halo (SKH-CNTFET) and conventional (C-CNTFET) structures.