23 تیر 1399
علي نادري

علی نادری

مرتبه علمی: دانشیار
نشانی: کرمانشاه، بزرگراه امام خمینی، دانشگاه صنعتی کرمانشاه
تحصیلات: دکترای تخصصی / مهندسی برق- الکترونیک
تلفن: 08338305008
دانشکده: دانشکده انرژی

دروس

کاردانی
درسی از این نوع برای این شخص ثبت نشده‌است!
کارشناسی
درسی از این نوع برای این شخص ثبت نشده‌است!
کارشناسی ارشد
دکترای تخصصی
درسی از این نوع برای این شخص ثبت نشده‌است!

فعالیت‌های پژوهشی

مقاله چاپ‌شده
1
Maryam Ghodrati, Ali Mir, Ali Naderi (2020) New structure of tunneling carbon nanotube FET with electrical junction in part of drain region and step impurity distribution pattern AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS: 117; 153102
2
Ali Naderi, Maryam Ghodrati, Sobhi Baniardalani (2020) The use of a Gaussian doping distribution in the channel region to improve the performance of a tunneling carbon nanotube field-effect transistor Journal of Computational Electronics: 19; 283-290
3
4
Saeed haghiri, Abdolhamid Zahedi, Ali Naderi, Arash Ahmadi (2018) Multiplierless Implementation of Noisy Izhikevich Neuron With Low-Cost Digital Design IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems: 12; 1422-1430
5
Ali Naderi, kamran moradi satari, fateme heirani (2018) SOI-MESFET with a layer of metal in buried oxide and a layer of SiO2 in channel to improve RF and breakdown characteristics MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING: 88; 57-64
6
Ali Naderi, Maryam Ghodrati (2018) An efficient structure for T-CNTFETs with intrinsic-n-doped impurity distribution pattern in drain region Turkish Journal of Electrical Engineering and Computer Sciences: 26; 2335 – 2346
7
علی نادری، مریم قدرتی (1397) ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با ناخالصی های سبک در کانال و دی الکتریک دو قسمتی نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران: 15; 9-16
8
9
10
Ali Naderi (2018) A novel SOI-MESFET with symmetrical oxide boxes at both sides of gate and extended drift region into the buried oxide AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS: 85;
11
Ali Naderi, Maryam Ghodrati (2018) "Cut Off Frequency Variation by Ambient Heating in Tunneling p-i-n CNTFETs" ECS Journal of Solid State Science and Technology: 7;
12
13
Hamed Mohammadi, Ali Naderi (2018) A novel SOI-MESFET with parallel oxide-metal layers for high voltage and radio frequency applications AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS: 83; 541-548
14
15
Ali Naderi, fateme heirani (2017) Improvement in the performance of SOI-MESFETs by T-shaped oxide part at channel region: DC and RF characteristics SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES: 111; 1022-1033
16
Ali Naderi, Behrooz Abdi Tahne (2017) and bending engineering in p-i-n gate all around Carbon nanotube feld effect transistors by multi-segment gate international journal of nano dimension: 8; 341-350
17
18
Ali Naderi (2016) Review—Methods in Improving the Performance of Carbon Nanotube Field Effect Transistors ECS Journal of Solid State Science and Technology: 12;
19
Ali Naderi (2016) SLD-MOSCNT: A new MOSCNT with step{linear doping pro_le in the source and drain regions INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B: 30;
20
21
22
23
24
Ali Naderi (2015) Theoretical analysis of a novel dual gate metal-graphene nanoribbon field effect transistor MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING: 31;
25
26
مقاله ارائه‌شده
1
2
3
علی نادری (1396) استفاده از اکسید گیت Lشکل در ترانزیستورهای MOSFET سیلیکون روی عایق جهت کاهش خازن های گیت کنفرانس ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر
4
5
6
7
8
9
علی نادری (1395) استفاده از جاذب حفره ها در ترانزیستورهای اثر میدان فلز- نیمه هادی جهت بهبود ولتاژشکست افزاره کنفرانس بین المللی مهندسی برق، کنترل و الکترونیک
10
11
12
13
14
طرح پژوهشی خاتمه‌یافته
1
2
3
4
علی نادری (1395) قفل الکتریکی با امنیت بالا و کنترل از طریق پیامک دانشگاه صنعتی کرمانشاه
5
6
7
پایان‌نامه
کتاب
پژوهشی از این نوع برای این شخص ثبت نشده‌است!
فعالیت‌های فناورانه
پژوهشی از این نوع برای این شخص ثبت نشده‌است!
سخنرانی
پژوهشی از این نوع برای این شخص ثبت نشده‌است!
درسی از این نوع برای این شخص ثبت نشده‌است!