18 مرداد 1401
علي نادري

علی نادری

مرتبه علمی: دانشیار
نشانی: کرمانشاه، بزرگراه امام خمینی، دانشگاه صنعتی کرمانشاه
تحصیلات: دکترای تخصصی / مهندسی برق- الکترونیک
تلفن: 08338305008
دانشکده: دانشکده انرژی

دروس

کاردانی
درسی از این نوع برای این شخص ثبت نشده‌است!
کارشناسی
درسی از این نوع برای این شخص ثبت نشده‌است!
کارشناسی ارشد
دکترای تخصصی
درسی از این نوع برای این شخص ثبت نشده‌است!

فعالیت‌های پژوهشی

مقاله چاپ‌شده
1
Mahsa Salimi Mansouri, Ali Naderi, Behzad Ghanbari (2022) Implementation of Cardiac Purkinje Fiber Cells Model: High Speed and Low Cost Hardware AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS: 153; 154269
2
Milad Ghanbarpour, Ali Naderi, Saeed haghiri, Arash Ahmadi (2021) An Efficient Digital Realization of Retinal Light Adaptation in Cone Photoreceptors IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS: 68; 5072-5080
3
sasan khanjar, Ali Naderi (2021) DC and RF characteristics improvement in SOI-MESFETs by inserting additional SiO2 layers and symmetric Si wells Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials: 272; 115386-...
4
Ali Naderi, Hamed Mohammadi (2021) Shifted gate electrode of silicon on insulator metal semiconductor FETs to amend the breakdown and transconductance European Physical Journal Plus: 136; 1-17
5
Maryam Ghodrati, Ali Mir, Ali Naderi (2021) Proposal of a doping-less tunneling carbon nanotube field-effect transistor Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials: 265; 115016-...
6
Saeed haghiri, Ali Naderi, Behzad Ghanbari, Arash Ahmadi (2021) High Speed and Low Digital Resources Implementation of Hodgkin-Huxley Neuronal Model Using Base-2 Functions IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS: 68; 275-287
7
8
Behrooz Abdi Tahne, Ali Naderi, fateme heirani (2020) Reduction in Self-Heating Effect of SOI MOSFETs by Three Vertical 4H-SiC Layers in the BOX Silicon: 12; 975-986
9
Maryam Ghodrati, Ali Mir, Ali Naderi (2020) New structure of tunneling carbon nanotube FET with electrical junction in part of drain region and step impurity distribution pattern AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS: 117; 153102
10
Ali Naderi, Maryam Ghodrati, Sobhi Baniardalani (2020) The use of a Gaussian doping distribution in the channel region to improve the performance of a tunneling carbon nanotube field-effect transistor Journal of Computational Electronics: 19; 283-290
11
12
Saeed haghiri, Abdulhamid Zahedi, Ali Naderi, Arash Ahmadi (2018) Multiplierless Implementation of Noisy Izhikevich Neuron With Low-Cost Digital Design IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems: 12; 1422-1430
13
Ali Naderi, kamran moradi satari, fateme heirani (2018) SOI-MESFET with a layer of metal in buried oxide and a layer of SiO2 in channel to improve RF and breakdown characteristics MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING: 88; 57-64
14
Ali Naderi, Maryam Ghodrati (2018) An efficient structure for T-CNTFETs with intrinsic-n-doped impurity distribution pattern in drain region Turkish Journal of Electrical Engineering and Computer Sciences: 26; 2335 – 2346
15
علی نادری، مریم قدرتی (1397) ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با ناخالصی های سبک در کانال و دی الکتریک دو قسمتی نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران: 15; 9-16
16
17
18
Ali Naderi, fateme heirani (2018) A novel SOI-MESFET with symmetrical oxide boxes at both sides of gate and extended drift region into the buried oxide AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS: 85;
19
Ali Naderi, Maryam Ghodrati (2018) "Cut Off Frequency Variation by Ambient Heating in Tunneling p-i-n CNTFETs" ECS Journal of Solid State Science and Technology: 7;
20
21
Hamed Mohammadi, Ali Naderi (2018) A novel SOI-MESFET with parallel oxide-metal layers for high voltage and radio frequency applications AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS: 83; 541-548
22
23
Ali Naderi, fateme heirani (2017) Improvement in the performance of SOI-MESFETs by T-shaped oxide part at channel region: DC and RF characteristics SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES: 111; 1022-1033
24
Ali Naderi, Behrooz Abdi Tahne (2017) and bending engineering in p-i-n gate all around Carbon nanotube feld effect transistors by multi-segment gate international journal of nano dimension: 8; 341-350
25
26
Ali Naderi, Behrooz Abdi Tahne (2016) Review—Methods in Improving the Performance of Carbon Nanotube Field Effect Transistors ECS Journal of Solid State Science and Technology: 12;
27
Behrooz Abdi Tahne, Ali Naderi (2016) SLD-MOSCNT: A new MOSCNT with step{linear doping pro_le in the source and drain regions INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B: 30;
28
29
Ali Naderi, Behrooz Abdi Tahne (2016) T-CNTFET with Gate-Drain Overlap and Two Different Gate Metals: A Novel Structure with Increased Saturation Current ECS Journal of Solid State Science and Technology: 5;
30
31
32
Ali Naderi (2015) Theoretical analysis of a novel dual gate metal-graphene nanoribbon field effect transistor MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING: 31;
33
34
مقاله ارائه‌شده
1
مهسا سلیمی منصوری، علی نادری (1400) کاربرد معادلات هاجکین هاکسلی در مدل سازی بخش های مختلف قلب شامل گره سینوسی دهلیزی، گره دهلیزی بطنی و سلول فیبر پورکینژ چهارمین کنفرانس بین المللی محاسبات نرم، ایران، رشت
2
مهسا سلیمی منصوری، علی نادری (1400) بررسی مدل های ریاضی توصیف کننده تولید سیگنا ل های الکتریکی نورون های مغزی با استفاده از معادلات دیفرانسیل پنجمین کنفرانس ملی فناوری در مهندسی برق و کامپیوتر، ایران، گرگان
3
ندا امیری، علی نادری (1399) بهبود عملکرد ساختارSOI-MESFET با استفاده از چاله های دوگانه و اکسیدهای اضافی در ناحیه کانال بیست و هشتمین کنفرانس مهندسی برق ایران، ایران، تبریز
4
5
6
علی نادری، بهروز عبدی (1396) استفاده از اکسید گیت Lشکل در ترانزیستورهای MOSFET سیلیکون روی عایق جهت کاهش خازن های گیت کنفرانس ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر
7
8
9
10
11
سیده رقیه موسوی، علی نادری (1395) مطالعه نوسانات زیرآستانه در ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی و بهبود آن با تغییر ساختار کنفرانس بین المللی مهندسی برق، کنترل و الکترونیک
12
علی نادری (1395) استفاده از جاذب حفره ها در ترانزیستورهای اثر میدان فلز- نیمه هادی جهت بهبود ولتاژشکست افزاره کنفرانس بین المللی مهندسی برق، کنترل و الکترونیک
13
14
15
16
17
طرح پژوهشی خاتمه‌یافته
1
2
3
4
5
علی نادری (1395) قفل الکتریکی با امنیت بالا و کنترل از طریق پیامک دانشگاه صنعتی کرمانشاه
6
7
8
پایان‌نامه
کتاب
پژوهشی از این نوع برای این شخص ثبت نشده‌است!
فعالیت‌های فناورانه
پژوهشی از این نوع برای این شخص ثبت نشده‌است!
سخنرانی
پژوهشی از این نوع برای این شخص ثبت نشده‌است!
درسی از این نوع برای این شخص ثبت نشده‌است!